用吉时利创新测试平台测试半导体参数

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我目前研究的课题是NBTI，目前在使用4200进行测试，请问使用使用4200zui快的测试时间可以到达多快？

A1：如果用4200做测试，它的zui快采样周期应该是大于10个毫秒，如果用ACS加2600，我们可以做到zui快100个微妙的测试。

Q2：芯片越来越小，以后的晶片测试将如何完成？

A2：当芯片越来越小，对测试来说，会看到两个趋势，脉冲和快速的测试，脉冲主要是应对像SOI，High-K材料这样新工艺，对于快速测试来说，我们可能要应对NBTI或者是行进间的击穿这样的现象。

Q3：请问有否关于Mosfet 的好的性能检测方案？

A3：对于Mosfet来说，您可能需要一些手动参数的系统，吉时利4200是一个非常流行的好的解决方案，您可以通过4200配置若干个数字源表单元，就可以完成您的摩斯管的特定参数分析。

Q4：对于半导体器件寿命提前测试现今的主要手段是什么？

A4：目前zui可靠的手段是WLR，传统的可靠性测试常常是在，把一个芯片分装作成成产品之后再做测试，在这种情况下，如果您发现芯片有寿命问题，在整个过程中，您花费的成本是非常大，我们现在往往会把可靠性测试往前提，就是说把它提到在芯片制造过程中，就可以做一些可靠性测试，对于像Mosfet，现在有一些标准的测试项目，像讲义中提到过的NBTI等，这些都是一些非常标准的WLR测试项目，然后可以通过对这些项目进行检测，就可以对半导体的寿命进行提前预测。

Q5：stress 是由加的电流电压的热效应引起的吗？

A5：在可靠性测试中所谓的stress指的是加电压或者是电流的偏压，在时间上维持一个周期。由于stress会引起器件的很多变化，以HCI为例子，stress会引起器件的特性参数漂移，造成器件的损伤，或者有stress引起的物理或者是化学的效应，热效应其实不是一个zui主要的原因。

Q6：ACS 测试系统可以在高5度和低温-30度的环境下测试吗？测试数据准确度如何？

A6：我看到的测试系统，它能够支持很高的温度或者很低的温度，通常情况下，我们会将我们的仪器置于温度箱之外，就是说我们的测试器件，控制器，计算机都会放在外面，您可以把器件放在温度箱里或者探针台内。

Q7：请问在测试精度为uA时，测试的zui少时间为多少？

A7：如果您要做一个微安测试，您可以在100微妙内完成。

Q8：我目前是4200的用户，我对PUISE非常感兴趣，请问4200的PIVzui高能够输出多大电压脉冲？

A8：吉时利的PIV可以为客户做到zui高72伏的电压脉冲输出